賽米控丹佛斯IGBT模塊實現(xiàn)大性能

賽米控丹佛斯提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓撲結(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A，電壓級別為600V至1800V。它們可用于各種應用，并采用多項關(guān)鍵技術(shù)，如燒結(jié)以及實現(xiàn)快捷裝配的彈簧或press-fit連接。提供不同的拓撲結(jié)構(gòu)，提供不同的拓撲結(jié)構(gòu)，如CIB（整流-逆變-制動）、半橋、H橋、三相全橋和三電平等，涵蓋幾乎所有應用領(lǐng)域。結(jié)合新的IGBT芯片和CAL二極管技術(shù)。*新代IGBT7已正式應用于賽米控丹佛斯功率模塊，其帶來更高功率密度并確立了新的性能評價基準，特別是在電機驅(qū)動和太陽能應用中。

賽米控丹佛斯提供全碳化硅模塊，采用SEMITOP和SEMITRANS封裝。由于采用**供應商提供的SiC MOSFET，可實現(xiàn)高開關(guān)頻率、小損耗和高效率。同時也提供了優(yōu)異的功率密度。

開關(guān)頻率的提高意味著無源濾波元件使用的大幅減少。同時，功率損耗也降低了，從而使散熱器更小，總體上減少了冷卻需求。這兩個優(yōu)勢都會使整個系統(tǒng)成本大大降低。

全碳化硅功率模塊涵蓋20A至540A電流范圍（1200V電壓和1700V），提供帶或不帶反并聯(lián)肖特基續(xù)流二極管的型號。其標準配置有三相全橋拓撲、半橋拓撲和帶有旁路二極管的boost拓撲。

除了SiC MOSFET模塊組合，賽米控丹佛斯還提供SEMIPACK和SEMITOP封裝的單SiC肖特基二極管，以確保低損耗整流應用。

賽米控丹佛斯系統(tǒng)優(yōu)勢：

? 支持緊湊、輕量級的系統(tǒng)

? 由于低開關(guān)量，提高了系統(tǒng)效率

和 SiC 的傳導損耗

? 降低熱需求和系統(tǒng)成本

賽米控丹佛斯技術(shù)特點：

? 超低損耗、高頻操作

? MOSFET 的零關(guān)斷尾電流

? 常關(guān)、故障**設(shè)備操作

? 反并聯(lián)肖特基二極管

? 與溫度無關(guān)的開關(guān)行為

賽米控丹佛斯混合碳化硅功率模塊型號：

IGBT和碳化硅肖特基二極管混合功率模塊

SK20KDD12SCpSEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)

SK35MLLE120SCpSEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)

SKM260MB170SCH17SEMITRANS 3 (106x62x31)