SEMIKRON IGBT模塊SEMITRANS命名方法:

SK   M   200   G  B    12  3    D   L
①   ②  ③    ④ ⑤   ⑥  ⑦   ⑧  ⑧

①   SEMIKRON元件
②   M:MOS技術
     D:七單元模塊(三相整流橋加IGBT斬波器)
③   集電極電流等級(Tcase＝25℃時的Ic/A)
④   IGBT開關
⑤   線路
     A:  單只開關
     AL: 斬波器模塊(IGBT加集電極端續(xù)流二極管)
     AR: 斬波器模塊(IGBT加發(fā)射極端續(xù)流二極管)
     AH: 非對稱H橋
     AX: 單只IGBT加集電極端串聯(lián)二極管(反向阻斷)
     AY: 單只IGBT加發(fā)射極端串聯(lián)二極管(反向阻斷)
     B:  兩單元模塊(半橋)
     BD: 兩單元模塊(半橋)加串聯(lián)二極管(反向阻斷)
     D:  六單元(三相橋)
     DL: 七單元(三相橋加AL斬波器)
     H:  單相全橋
     M:  兩只IGBT在集電極端相連
⑥   集電極發(fā)射極電壓等級(Vce/V/100)
⑦   IGBT系列號
     0:   **代產(chǎn)品(1988-1991,集電極額定電流為Tcase=80℃時值)
     1、2:**代產(chǎn)品(1992-1996,集電極額定電流為Tcase=25℃時值);
      600V產(chǎn)品:集電極額定電流為Tcase=80℃時值
     3:   **代產(chǎn)品(600V和1200V:高密度NPT型IGBT);
      1700V為**代NPT型IGBT.CAL二極管.
      600V產(chǎn)品:集電極額定電流為Tcase=80℃時值.
      1200V與1700V產(chǎn)品:集電極額定電流為Tcase=25℃時值
4:   高密度、低飽和壓降NPT型IGBT(1200V、1700V)
5:   高密度、高速NPT型IGBT(600V、1200V)
6:   溝道式NPT型IGBT
⑧    特點
      D:  快回復二極管
      K:  SEMIKRON五號外殼帶螺栓端子
      L:  六單元外殼帶焊接端子
      S:  集電極檢測端子
      I:  加強的反向二極管(高功率輸出)